4x25/28G LWDM DML光发射器件
4x25/28G LWDM DML TOSA器件采用气密性封装结构，内置四通道激光器驱动芯片，支持双速率工作，并提供I2C通信接口。器件支持商温工作条件，四路LWDM波长激光器，通过TEC控制和调节工作波长，满足LR4(2~10km)工作距离要求。
100G LWDM EML光发射器件
100G LWDM EML TOSA器件采用气密性封装结构，内置四通道LWDM EML和波分复用光学元件，支持商温工作条件，通过TEC控制和调节工作波长，满足ER/ER Lite工作距离要求。
4x25G CWDM超工温光发射器件
4x25G CWDM Extened I-Temp TOSA采用气密性封装，内部集成TEC温控器，基于微光学设计，采用内置驱动器+DML工作模式，提供I2C控制接口，四路CWDM工作波长。
4x25G CWDM超工温光接收器件
4x25G CWDM Extened I-Temp ROSA采用气密性封装，内部集成TEC温控器，内置CWDM波长的分光元件，采用PIN-TIA工作模式，能够适用于-45C~+95C温度环境。
4x25G Non-Driver LWDM DML TOSA
4x25G Non-Driver LWDM DML TOSA器件采用气密性封装结构，采用四路LWDM波长规格直调激光器，通过TEC控制和调节工作波长，支持商温工作条件，满足LR4(2~10km)工作距离要求。外置驱动器芯片设计，50Ohm差分阻抗输入。
4x25G LWDM PIN ROSA
4x25G LWDM PIN ROSA系列器件采用气密性封装结构，微光学光路设计，采用四路LWDM波长，支持商温工作条件，满足LR4(2~10km)工作距离要求。
4×25G LWDM APD ROSA-在研
4×25G LWDM APD ROSA系列器件采用气密性封装结构，微光学光路设计，采用四路LWDM波长，支持商温工作条件，满足ER4 lite工作距离要求。
4x25G LWDM SOA-PIN ROSA
采用气密性封装设计，四路LWDM光信号通过微光学分光耦合至25G PIN-TIA通道。通过柔性板实现器件-PCB板级电信号传输。内置SOA半导体放大器实现小信号放大。
4x50G LWDM APD ROSA –在研
4x50G LWDM APD ROSA系列器件采用气密性封装结构，微光学光路设计，采用四路LWDM波长，支持商温工作条件，满足ER4工作距离要求。
4x50G LWDM PIN ROSA
4x50G LWDM PIN ROSA系列器件采用气密性封装结构，微光学光路设计，采用四路LWDM波长，支持商温工作条件，满足LR4(2~10km)工作距离要求。
4x50G LWDM EML TOSA-40km
4×50G LWDM EML TOSA-40km采用气密性封装结构，内置四通道LWDM EML和波分复用光学元件，支持商温工作条件，通过TEC控制和调节工作波长。